| 型号： | SPB18P06P G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| SPB18P06P G PDF |  |
| 产品目录绘图 | Mosfets TO-263 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | SIPMOS® |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 130 毫欧 @ 13.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 860pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 81.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-2 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面 | 1620 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | SPB18P06PGINCT |